サファイアレンズ - SAPPHYサファイア基板ウェーハ
原産地: 世界中国
メーカー: 中国 卸価格お問い合わせください sinoboss@hotmail.com -- グローバルエージェントの募集.
SAPPHYサファイア基板ウェーハ 説明:
SAPPHYサファイア基板ウェーハ 用途：サファイア結晶は、半導体（MOCVD GaNエピタキシャル基板）、時計、医療、通信、レーザー、赤外線、電子、計装、軍事、航空宇宙、その他多くの最先端のハイテク分野で広く使用されています。 サファイアサファイアクリスタル素材： 99,996％のAl2O3、高純度、単結晶、Al2O3 サファイアサファイアクリスタルの品質： インクルージョン、ブロックマーク、ツイン、カラー、マイクロバブル、分散センターは存在しません サファイアサファイアの直径： 2インチ3インチ4インチ5インチ¡«7インチ 50.8¡À0.1mm76.2¡À0.2mm100¡À0.3mm標準生産の規定に準拠 サファイアサファイアの厚さ： 430¡À15¦Ìm330¡À15¦Ìm250¡À15¦Ìm550¡À15¦Ìm500¡À15¦Ìm430¡À15¦Ìm650¡À20¦Ìm550¡標準生産の サファイアサファイアオリエンテーション： C面（0001）からM面（1-100）またはA面（1 1-2 0）0.2¡À0.1¡ã/0.3¡À0.1¡ã、R面（1-1 0 2）、A平面（1 1-2 0）、M平面（1-1 0 0）、任意の方向、任意の角度 Sapphy Sapphireプライマリフラット長さ： 16.0¡À0.8mm22.0¡À1.0mm32.5¡À1.5mm標準生産の規定に準拠 Sapphy Sapphireプライマリフラットオリエンテーション： A面（1 1-2 0）¡À0.2¡ã TTV：¡Ü10¦Ìm¡Ü15¦Ìm¡Ü20¦Ìm¡Ü30¦Ìm LTV：¡Ü10¦Ìm¡Ü15¦Ìm¡Ü20¦Ìm¡Ü30¦Ìm TIR：¡Ü10¦Ìm¡Ü15¦Ìm¡Ü20¦Ìm¡Ü30¦Ìm BOW：¡Ü10¦Ìm¡Ü15¦Ìm¡Ü20¦Ìm¡Ü30¦Ìm ワープ：¡Ü10¦Ìm¡Ü15¦Ìm¡Ü20¦Ìm¡Ü30¦Ìm Sapphy Sapphire前面：エピポリッシュ（Ra <0.2nm） Sapphy Sapphire背面：細かい地面（Ra = 0.5〜1.2¦Ìm）、エピポリッシュ（Ra <0.2nm） Sapphy Sapphireクリーニング/パッケージング：クラス100クリーンルームクリーニング、真空パッケージング由来の窒素 注：中国のお客様の特定の要件に応じて、高品質のサファイア基板ウェーハを提供できます。
サファイアレンズ
+ + China SAPPHY+ サファイア 生産/サファイアレンズ供給/サプライヤー/工場/メーカー/輸出/輸出/
http://WWW.SAPPHY.XYZ
メーカー: 中国 卸価格お問い合わせください sinoboss@hotmail.com -- グローバルエージェントの募集.
SAPPHYサファイア基板ウェーハ 説明:
SAPPHYサファイア基板ウェーハ 用途：サファイア結晶は、半導体（MOCVD GaNエピタキシャル基板）、時計、医療、通信、レーザー、赤外線、電子、計装、軍事、航空宇宙、その他多くの最先端のハイテク分野で広く使用されています。 サファイアサファイアクリスタル素材： 99,996％のAl2O3、高純度、単結晶、Al2O3 サファイアサファイアクリスタルの品質： インクルージョン、ブロックマーク、ツイン、カラー、マイクロバブル、分散センターは存在しません サファイアサファイアの直径： 2インチ3インチ4インチ5インチ¡«7インチ 50.8¡À0.1mm76.2¡À0.2mm100¡À0.3mm標準生産の規定に準拠 サファイアサファイアの厚さ： 430¡À15¦Ìm330¡À15¦Ìm250¡À15¦Ìm550¡À15¦Ìm500¡À15¦Ìm430¡À15¦Ìm650¡À20¦Ìm550¡標準生産の サファイアサファイアオリエンテーション： C面（0001）からM面（1-100）またはA面（1 1-2 0）0.2¡À0.1¡ã/0.3¡À0.1¡ã、R面（1-1 0 2）、A平面（1 1-2 0）、M平面（1-1 0 0）、任意の方向、任意の角度 Sapphy Sapphireプライマリフラット長さ： 16.0¡À0.8mm22.0¡À1.0mm32.5¡À1.5mm標準生産の規定に準拠 Sapphy Sapphireプライマリフラットオリエンテーション： A面（1 1-2 0）¡À0.2¡ã TTV：¡Ü10¦Ìm¡Ü15¦Ìm¡Ü20¦Ìm¡Ü30¦Ìm LTV：¡Ü10¦Ìm¡Ü15¦Ìm¡Ü20¦Ìm¡Ü30¦Ìm TIR：¡Ü10¦Ìm¡Ü15¦Ìm¡Ü20¦Ìm¡Ü30¦Ìm BOW：¡Ü10¦Ìm¡Ü15¦Ìm¡Ü20¦Ìm¡Ü30¦Ìm ワープ：¡Ü10¦Ìm¡Ü15¦Ìm¡Ü20¦Ìm¡Ü30¦Ìm Sapphy Sapphire前面：エピポリッシュ（Ra <0.2nm） Sapphy Sapphire背面：細かい地面（Ra = 0.5〜1.2¦Ìm）、エピポリッシュ（Ra <0.2nm） Sapphy Sapphireクリーニング/パッケージング：クラス100クリーンルームクリーニング、真空パッケージング由来の窒素 注：中国のお客様の特定の要件に応じて、高品質のサファイア基板ウェーハを提供できます。
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